Μηχανή Επικάλυψης Χρυσού Χρυσού TiN, Υπηρεσία Χρυσής Επιχρίστωσης ZrN

 
 
Χρυσό TiN Μηχανή επικαλύψεως με μέση συχνότητα / σύστημα MF
 
 
 
Το Magnetron Sputtering Vacuum Coating είναι ένα είδος PVD Ion Plating surface treatment menthod. Μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την παραγωγή αγωγών ή μη αγωγών ταινιών, σε πολλούς τύπους υλικών: μέταλλα,γυαλίΗ έννοια της κατάρριψης με ψεκασμό: το υλικό επικάλυψης (στόχος, που ονομάζεται επίσης καθετός) και τα κομμάτια εργασίας (υπόστρωμα,επίσης ονομάζεται άνοδος) τοποθετούνται στον θάλαμο κενού και η πίεση μειώνεταιΗ ψεκαστική ξεκινά με τοποθέτηση του στόχου κάτω από μια διαφορά τάσης και την εισαγωγή αερίου Αργκόν που σχηματίζει ιόντα Αργκόν (φωτεινή εκκένωση).Τα ιόντα του αργονίου επιταχύνουν προς τον στόχο της διαδικασίας και εκτοπίζουν τα άτομα στόχουΤα ατόματα αυτά συμπυκνώνονται στη συνέχεια στο υπόστρωμα και σχηματίζουν ένα πολύ λεπτό στρώμα υψηλής ομοιότητας.ή ακετυλένιο σε αέρια ψεκασμού κατά τη διαδικασία επικάλυψης.
 
Μοντέλα ψεκασμού μαγνητόρων: ψεκασμός συνεχούς ροής, ψεκασμός MF, ψεκασμός ραδιοσυχνοτήτων
 
Τι είναι το MF Sputtering;
 
Σε σύγκριση με το DC και το RF sputtering, το Mid-Frequency sputtering έχει γίνει η κύρια τεχνική ψεκασμού λεπτών ταινιών για μαζική παραγωγή επικάλυψης,ειδικότερα για την κατάθεση με φιλμ διηλεκτρικών και μη αγωγών επικαλύψεων με φιλμ σε επιφάνειες όπως οι οπτικές επικαλύψεις, ηλιακοί συλλέκτες, πολλαπλά στρώματα, σύνθετες ταινίες υλικών κλπ.
Αντικαθιστά την ψεκασμό RF λόγω της λειτουργίας του με kHz αντί για MHz για πολύ ταχύτερο ρυθμό αποθέσεως και μπορεί επίσης να αποφύγει την δηλητηρίαση του στόχου κατά τη διάρκεια της σύνθετης αποθέσεως λεπτών ταινιών όπως DC.
 
Οι στόχοι ψεκασμού MF υπήρχαν πάντα με δύο σετ. Two cathodes are used with an AC current switched back and forth between them which cleans the target surface with each reversal to reduce the charge build up on dielectrics that leads to arcing which can spew droplets into the plasma and prevent uniform thin film growth--- which is what we called Target Poisoning.
 
Δυναμικότητα του συστήματος ψεκασμού MF
1Τελική πίεση κενού: καλύτερη από 5,0 × 10^-6Τορ.
2Δυνάμωση κενού λειτουργίας: 1,0 × 10^-4Τορ.
3Χρόνος άντλησης: από 1 ατμόσφαιρο έως 1,0 × 10^-4Torr≤ 3 λεπτά (περιοχή θερμοκρασίας δωματίου, στεγνή, καθαρή και άδειη αίθουσα)
4Υλικό μεταλλικής επεξεργασίας (πυροβολισμός + εξάτμιση τόξου): Ni, Cu, Ag, Au, Ti, Zr, Cr, TiN, TiC, TiAlN, CrN, CrC κλπ.
5- Λειτουργικό μοντέλο: πλήρως αυτόματο / ημι- αυτόματο / χειροκίνητο
 
Δομή του συστήματος ψεκασμού MF
Το μηχάνημα επικαλύψεως υπό κενό περιέχει το κλειδί του ολοκληρωμένου συστήματος που παρατίθεται κατωτέρω:
1Δωμάτιο κενού.
2Σύστημα αντλίας κενού χονδρής (πακέτο αντλίας υποστήριξης)
3Σύστημα αντλίας υψηλού κενού (μαγνητικά ενεχυρισμένη μοριακή αντλία)
4Ηλεκτρικό σύστημα ελέγχου και λειτουργίας
5Σύστημα βοηθητικών εγκαταστάσεων (υποσύστημα)
6Σύστημα αποθέματος: Καθοδική σποτ MF, τροφοδοσία MF, πηγή ιόντων για προαιρετική
 
Συστήματα ψεκασμού MF RTSP1212-MF Προδιαγραφές
 

 
 
 
 
Έχουμε περισσότερα μοντέλα για την επιλογή σας!


 
 
Παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας για περισσότερες προδιαγραφές, η Royal Technology είναι στην τιμή της να σας προσφέρει ολοκληρωμένες λύσεις επίχρισής.