Μέσος - Magnetron συχνότητας ψεκάζοντας μηχανή επιστρώματος, ψεκάζοντας εγκαταστάσεις επιστρώματος MF, ψεκάζοντας κενό σύστημα απόθεσης

Magnetron μέσος-συχνότητας ψεκάζοντας μηχανή επιστρώματος/ψεκάζοντας σύστημα MF  

Magnetron που ψεκάζει το κενό επίστρωμα είναι ένας τύπος ιονικής επεξεργασίας επιφάνειας επένδυσης PVD menthod. Μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την παραγωγή της διεύθυνσης ή της μη διεύθυνσης των ταινιών, σε πολλά υλικά τύπων: μέταλλα, γυαλί, κεραμικός, πλαστικός, κράμα μετάλλων. Η έννοια απόθεσης επιμετάλλωσης: το υλικό επιστρώματος (στόχος, που ονομάζεται επίσης την κάθοδο) και τα κομμάτια εργασίας (υποστρώματα, αποκαλούμενα επίσης άνοδο) τοποθετούνται στην κενή αίθουσα και η πίεση μειώνεται. Η επιμετάλλωση αρχίζει με την τοποθέτηση του στόχου κάτω από μια τάση differintial και την εισαγωγή του αερίου αργού που διαμορφώνει τα ιόντα αργού (απαλλαγή πυράκτωσης). Τα ιόντα αργού επιταχύνουν προς το στόχο διαδικασίας και μετατοπίζουν τα άτομα στόχων. Αυτά τα ψεκάζοντας άτομα είναι έπειτα συμπυκνωμένα επάνω στο στρώμα ομοιομορφίας υποστρωμάτων και μορφής πολύ λεπτό και υψηλό. Τα διάφορα χρώματα μπορούν να επιτευχθούν με την εισαγωγή των αντιδραστικών αερίων όπως, άζωτο, oxgen, ή η ασετυλίνη ψεκάζει gass κατά τη διάρκεια της διαδικασίας επιστρώματος.

Magnetron ψεκάζοντας πρότυπα: ΣΥΝΕΧΗΣ επιμετάλλωση, επιμετάλλωση MF, επιμετάλλωση RF

Τι το MF ψεκάζει;

Έναντι της επιμετάλλωσης συνεχούς ρεύματος και RF, η επιμετάλλωση μέσος-συχνότητας έχει γίνει μια κύρια τεχνική επιμετάλλωσης λεπτών ταινιών για τη μαζική παραγωγή του επιστρώματος, ιδιαίτερα για την απόθεση ταινιών των διηλεκτρικών και non-conductive επιστρωμάτων ταινιών στις επιφάνειες όπως τα οπτικά επιστρώματα, τα ηλιακά πλαίσια, τα πολλαπλάσια στρώματα, η ταινία κ.λπ. σύνθετου υλικού.

Αντικαθιστά την επιμετάλλωση RF λόγω του που χρησιμοποιείται με το kHz παρά το MHZ για ένα πολύ γρηγορότερο ποσοστό απόθεσης και μπορεί επίσης να αποφύγει τη δηλητηρίαση στόχων κατά τη διάρκεια της σύνθετης απόθεσης λεπτών ταινιών όπως το συνεχές ρεύμα.

Οι ψεκάζοντας στόχοι MF υπήρξαν πάντα με τα δύο-σύνολα. Δύο κάθοδοι χρησιμοποιούνται με ένα ρεύμα εναλλασσόμενου ρεύματος που μεταστρέφεται μπρος-πίσω μεταξύ τους όποιος καθαρίζει την επιφάνεια στόχων με κάθε αντιστροφή για να μειώσει τη συγκέντρωση δαπανών στα διηλεκτρικά που οδηγεί να σχηματίσει τόξο που μπορεί spew σταγονίδια στο πλάσμα και να αποτρέψει την ομοιόμορφη αύξηση λεπτών ταινιών- όποιος είναι αυτό που καλέσαμε δηλητηρίαση στόχων.

Απόδοση συστημάτων επιμετάλλωσης MF

1. Τελευταία κενή πίεση: καλύτερα από 5.0×10-6 Torr.

2. Λειτουργούσα κενή πίεση: 1.0×10-4 Torr.

3. Χρόνος Pumpingdown: από 1 ATM σε 1.0×10-4 Torr≤ 3 λεπτά (ξηράς, καθαρής και κενής αίθουσα θερμοκρασίας δωματίου,)

4. Υλικό Metalizing (που ψεκάζει + εξάτμιση τόξων): Νι, $cu, άργυρος, Au, Tj, Zr, χρώμιο, κασσίτερος, σπασμός, TiAlN, CrN, κέντρο ανίχνευσης και ελέγχου, κ.λπ.

5. Λειτουργούν πρότυπο: Το πλήρες αυτόματα /Semi-Auto/ με το χέρι

Ψεκάζοντας δομή συστημάτων MF

Η μηχανή κενού επιστρώματος περιέχει το βασικό ολοκληρωμένος σύστημα που απαριθμείται κατωτέρω:

1. Κενή αίθουσα

2. Κενό αντλώντας σύστημα Rouhging (υποστηρίζοντας συσκευασία αντλιών)

3. Υψηλό κενό αντλώντας σύστημα (μαγνητικά μοριακή αντλία αναστολής)

4. Ηλεκτρικό σύστημα ελέγχου και λειτουργίας

5. Σύστημα δυνατότητας Auxiliarry (υποσύστημα)

6. Σύστημα απόθεσης: Ψεκάζοντας κάθοδος MF, παροχή ηλεκτρικού ρεύματος MF, προκατειλημμένη ιονική πηγή παροχής ηλεκτρικού ρεύματος για προαιρετικό

Προδιαγραφές rtsp1212-MF συστημάτων επιμετάλλωσης MF

Έχουμε περισσότερα πρότυπα για την επιλογή σας! 

Παρακαλώ μας ελάτε σε επαφή με για περισσότερες προδιαγραφές, η βασιλική τεχνολογία είναι τιμημένη για να σας παρέχει συνολικές λύσεις επιστρώματος.